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學習英文與了解天下事，為什麼要讀時代雜誌呢？

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因為這本雜誌所囊括世界各地最新的奇人異事，可以讓眼界變得更寬廣

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隨著新款iPhone的發布，直接拉動了手機周邊配件的市場。由於iPhone 11仍然標配5V/1A充電器的緣故，因此用戶想要體驗PD快充還是得自行購買快充配件。對此XinSpower新斯寶推出了一款18W USB PD充電器，這款產品表面光滑，小巧輕便易於攜帶，能夠滿足iPhone 11用戶的日常快速充電需求。下面我們就對這款充電器進行拆解，看看裡面用料如何。一、新斯寶18W PD充電器外觀 ... XinSpower新斯寶這款18W PD快充充電器通體白色，機身表面採用亮面烤漆處理工藝，側身光滑弧面過渡，整體小巧攜帶方便。 ... 輸入端配備固定式國標插腳。 ... 輸入端外殼標註產品參數信息型號：PN185C輸入：110-240V~ 50/60Hz 0.5A輸出：5V/3A、9V/2A、12V/1.5A製造商：深圳市新斯寶科技有限公司產品已經通過了3C認證。 ... 輸出頂部配備一個USB-C接口，黑色舌片不露銅。 ... 和蘋果18W充電器的直觀比較，新斯寶這款充電器要厚一點。 ... 凈重約為48g。 ... 使用ChargerLAB POWER-Z KT001檢測USB-C口的輸出協議，顯示支持USB-DCP協議，此外沒有檢測到其它協議。 ... 此外，其PDO報文顯示USB-C接口還支持USB PD3.0快充標準，具備5V/3A、9V/2A、12V/1.5A三組固定電壓檔位。二、新斯寶18W PD充電器拆解 ... 暴力拆開輸入端外殼，兩根插腳通過與PCB板上豎直焊接的兩個金屬夾片接觸進行導通。 ... 將PCB板取出，電路板上空間很充足，初級次級之間隔有充足距離。變壓器、電解電容和固態電容等元器件打膠進行固定。 ... PCB板前端焊接有延時保險絲和PWM主控晶片供電電容。 ... 延時保險絲特寫，規格為2A 250V。 ... PWM主控晶片供電電容規格為50V 10μF。 ... PCB板側面焊接有兩顆電解電容和一顆工字電感。 ... 工字電感特寫，外套熱縮管。 ... 輸出抗干擾藍色Y電容特寫，橫跨在初級次級之間。 ... 兩顆初級濾波電解電容規格均為400V 15μF，由JEFA傑發電子提供。 ... 另一側中間位置是變壓器。 ... 變壓器特寫，上面貼有信息標籤。 ... USB-C接口使用協議小板垂直焊接在主控PCB板上，輸出端採用兩顆固態電容並聯濾波。 ... 協議小板上焊接有一顆USB PD協議IC。 ... USB PD協議IC採用Weltrend偉詮的WT6615F。這是一顆支持USB PD 3.0規範和高通QC3.0和QC4技術的USB PD控制器，支持DFP下行埠（源）充電應用。高度集成的WT6615F可以應用於適配器、車充、移動電源等設備。同時偉詮WT6615F支持USB PD最新的Programmable Power Supply（PPS）規範，通用於移動設備的直充方案。 ... 偉詮WT6615F詳細規格資料。 ... 板子另一面焊接有USB-C接口的輸出VBUS開關管，採用Meilai美萊創新的CN4309，PMOS，耐壓30V。 ... 美萊創新 CN4309 詳細資料。 ... USB-C接口過孔焊接。 ... 兩顆輸出濾波固態電容來自FCON金富康，規格均為16V 470μF。 ... PCB板背面一覽，初級次級分界明顯，且置有足夠的安全距離。 ... 輸入端ABS210整流橋。 ... PWM主控晶片採用無錫矽動力SP6648HF，這是一顆電流模式PWM控制晶片，其內置650V高壓功率MOSFET，應用於功率在18W以內的方案。SP6648HF在PWM模式下工作於固定開關頻率，這個頻率是由內部精確設定。在空載或者輕載時，工作頻率由IC內部調整。晶片可以工作在綠色模式，以此來減小輕載時的損耗，提高整機的工作效率。 ... 矽動力SP6648HF規格資料。 ... CT 1019光耦合器，橫跨在初級次級之間，用於初級次級通信，調節反饋輸出電壓。 ... 次級同步整流器採用的是Lii力生美的LN5S21A，LN5S21A內置同步整流MOS和控制器，內置MOS耐壓105V，導阻10mΩ，可以提高整機轉換效率。 ... 力生美的LN5S21A詳細規格資料。 ... 全部拆解完畢，來張全家福。充電頭網拆解總結新斯寶這款18W PD快充充電器機身殼採用亮面烤漆處理工藝，各側面之間為光滑弧面過渡手感好，整個充電器小巧輕便，易於攜帶。USB-C接口支持USB PD3.0快充標準，具備5V/9V/12V三組固定電壓檔位。18W快充功率可以滿足市面上多數電子產品的充電需求。充電頭網通過拆解發現，充電器內置無錫矽動力主控晶片SP6648HF、力生美高性能次級同步整流器LN5S21A，均為內置MOS，集成度高，外圍簡潔，節省空間，元器件分布相對稀疏有利於散熱；協議晶片採用偉詮的WT6615F，兼容性有保證。